Description
Avec cet appareil, vous pourrez détecter automatiquement les transistors NPN et PNP, les MOSFET à canal N et P, les diodes, les thyristors, les résistances, les condensateurs et bien d'autres composants. Il est également possible de mesurer certaines caractéristiques de ces dispositifs comme par exemple le facteur d'amplification du courant d'un BJT ou la tension de seuil de grille d'un MOSFET et bien plus encore.
Caractéristiques
- Détection automatique des transistors NPN et PNP, des MOSFET à canal N et canal P, des diodes (y compris double diode), des thyristors, des résistances et condensateurs et d'autres composants
- Test automatique des broches d'un composant et affichage sur l'écran LCD
- Détection du transistor, du coefficient d'amplification de la diode de protection MOSFET et de la base pour déterminer la tension polarisée en direct du transistor émetteur
- Mesure de la tension de seuil de grille et de la capacité de grille du MOSFET
- Mesure simultanée de deux résistances tout en affichant le symbole de la résistance
- Mesure d'une capacité inverse d'une seule diode
- Mesures de capacité, résolution 1 pF
- Identification des transistors Darlington via la tension de seuil base-émetteur et le facteur d'amplification du courant
- Mesure du facteur d'amplification du courant du transistor bipolaire et de la tension de seuil base-émetteur
- Écran LCD 2x16 caractères (LCD 12864 avec rétroéclairage vert)
Plages de tests
- Résistance : Max. 50 MΩ, résolution 0,1 Ω
- Capacité : 25 pF – 100 000 µF
- Inductance : 0,01 mH – 20 H
Caractéristiques
- Opération à un bouton
- Arrêt automatique pour une durée de vie améliorée de la batterie
- Courant d'arrêt inférieur à 20 nA
